dV/dt对MOSFET动态性能的影响

MOSFET的dv/dt是指开关瞬态过程中漏极－源极电压的变化率。

如果dv/dt太大，可能发生振铃，进而可能导致MOSFET损坏。

①静态dV/dt：会引起MOSFET栅极电压变化，导致错误开通。在栅源间并联电阻，可防止误开通。

②动态dV/dt：回路中电感在MOSFET关断时，引起动态dV/dt；工作频率越高，负载等效电感越大，器件同时承受大的漏极电流和高漏极电压，将导致器件损坏。加吸收回路，减小引线长度，采用谐振型电路，可抑制dV/dt。

③二极管恢复期dV/dt：在MOSFET使用中，二极管发生续流过程时，漏极电压快速上升，内部二极管反向恢复过程中导致损坏。主要原因是寄生二极管表现为少子器件，有反向恢复时间，反向恢复期间存储电荷快速消失，会增大电流密度和电场强度，引起局部击穿（如二次击穿），导致器件损坏。

由高dV/dt导致的器件误导通的机理包括两种：

（1）通过CGD反馈回输入端.如I1电流，RG是总栅极电阻，VGS表示为：

当VGS超过器件的阈值电压Vth，器件进入导通状态，在该机制下，dV/dt由以下关系式限定：

低Vth器件更加容易导致 dV/dt误导通。在高温环境中必须考虑到Vth的负温度系数。并且对于栅阻抗需要认真考虑，来避免误导通。

对于由高dv/dt误导通的第二种机制为 MOSFET的开通是由于寄生BJT的导通. 体二极管电容CDB，如电流I2。

该机制下dV/dt由以下关系式决定：

在较高的dV/dt和较大的基区电阻RB情况下，MOSFET的击穿电压由 BJT决定。通过提高体区掺杂浓度并减小位移电流 I2来提高dV/dt的能力。随着环境温度升高，BJT的RB增大，VBE降低，影响器件dV/dt的能力。