产品中心-台懋半导体MOSFET中低压MOS管

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TMC-MOS

TM05P03HMI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM05P03HMI

极性：P=30V

封装：SOT-23-3L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM05P03MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM05P03MI

极性：P=30V

封装：SOT-23-3L

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM06P03I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM06P03I

极性：P=30V

封装：SOT-23

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM05P03HI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM05P03HI

极性：P=30V

封装：SOT-23

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM05P03I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM05P03I

极性：P=30V

封装：SOT-23

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM04P03I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM04P03I

极性：P=30V

封装：SOT-23

工艺：

VDS：-30

ESD：N

TMC-MOS

TM80PL03NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM80PL03NF

极性：P=25V

封装：PDFN5*6-8L

工艺：

VDS：-25

ESD：N

TMC-MOS

TM80PL03DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM80PL03DF

极性：P=25V

封装：PDFN3*3-8L

工艺：

VDS：-25

ESD：N

TMC-MOS

TM60PL03DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM60PL03DF

极性：P=25V

封装：PDFN3*3-8L

工艺：

VDS：-25

ESD：N

TMC-MOS

TM10V02S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM10V02S

极性：P+P=20V

封装：SOP-8L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM06V02S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM06V02S

极性：P+P=20V

封装：SOP-8L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM04V02S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM04V02S

极性：P+P=20V

封装：SOP-8L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM20P02S-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM20P02S

极性：P=20V

封装：SOP-8L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM70P02D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM70P02D

极性：P=20V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM60P02D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM60P02D

极性：P=20V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM50P02D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM50P02D

极性：P=20V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM40P02D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM40P02D

极性：P=20V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM30P02D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM30P02D

极性：P=20V

封装：TO-252-3L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM120P02NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM120P02NF

极性：P=20V

封装：PDFN5*6-8L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM70P02DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM70P02DF

极性：P=20V

封装：PDFN3*3-8L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM60P02DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM60P02DF

极性：P=20V

封装：PDFN3*3-8L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM55P02DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM55P02DF

极性：P=20V

封装：PDFN3*3-8L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM30P02DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM30P02DF

极性：P=20V

封装：PDFN3*3-8L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM30P02BF6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM30P02BF6

极性：P=20V

封装：PDFN2*2-6L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM15P02SI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM15P02SI

极性：P=20V

封装：SOT-89-3L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM10P02SI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM10P02SI

极性：P=20V

封装：SOT-89-3L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM09P02MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM09P02MI

极性：P=20V

封装：SOT-23-3L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM07P02MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM07P02MI

极性：P=20V

封装：SOT-23-3L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM06P02MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM06P02MI

极性：P=20V

封装：SOT-23-3L

工艺：

VDS：-20

ESD：N

TMC-MOS

TM08P02I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET

TM08P02I

极性：P=20V

封装：SOT-23

工艺：

VDS：-20

ESD：N

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