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TMC-MOS
TM120P02NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM120P02NF

极性:P=20V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM70P02DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM70P02DF

极性:P=20V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM60P02DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM60P02DF

极性:P=20V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM55P02DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM55P02DF

极性:P=20V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM30P02DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30P02DF

极性:P=20V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM30P02BF6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30P02BF6

极性:P=20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM15P02SI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15P02SI

极性:P=20V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM10P02SI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10P02SI

极性:P=20V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM09P02MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM09P02MI

极性:P=20V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM07P02MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07P02MI

极性:P=20V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM06P02MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06P02MI

极性:P=20V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM08P02I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08P02I

极性:P=20V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM07P02I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM07P02I

极性:P=20V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM06P02I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM06P02I

极性:P=20V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM04P02AI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM04P02AI

极性:P=20V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM03P02I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM03P02I

极性:P=20V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM02P02I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM02P02I

极性:P=20V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-20

ESD:N

TMC-MOS
TM08P018MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08P018MI

极性:P<20V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-18

ESD:N

TMC-MOS
TM18P018BF6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM18P018BF6

极性:P<20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:-18

ESD:N

TMC-MOS
TM15P018BF6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15P018BF6

极性:P<20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:-18

ESD:N

TMC-MOS
TM16P018BF6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM16P018BF6

极性:P<20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:-18

ESD:N

TMC-MOS
TM08P018BF6-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08P018BF6

极性:P<20V

封装:PDFN2*2-6L

工艺:

VDS:-18

ESD:N

TMC-MOS
TMG100N25MP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG100N25MP

极性:N=250V

封装:TO-247-3L

工艺:

VDS:250

ESD:N

TMC-MOS
TMG120N20T-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120N20T

极性:N=200V

封装:TO-263-3L

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TM100N20HT-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100N20HT

极性:N=200V

封装:TO-263-3L

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TMG130N20MP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG130N20MP

极性:N=200V

封装:TO-247-3L

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TMG120N20HP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120N20HP

极性:N=200V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TM100N20HP-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100N20HP

极性:N=200V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TM09N20D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM09N20D

极性:N=200V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:200

ESD:N

TMC-MOS
TM05N20D-中低压N沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05N20D

极性:N=200V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:200

ESD:N

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