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TMC-MOS
TM15P10D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15P10D

极性:P=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM10P10D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10P10D

极性:P=100V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM10P10SI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10P10SI

极性:P=100V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM05P10SI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM05P10SI

极性:P=100V

封装:SOT-89-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM03P10MI-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM03P10MI

极性:P=100V

封装:SOT-23-3L

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM01P10I-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM01P10I

极性:P=100V

封装:SOT-23

工艺:

VDS:-100

ESD:N

TMC-MOS
TM08V06S-中低压P+P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM08V06S

极性:P+P=60V

封装:SOP-8L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TMG160P06HMP-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG160P06HMP

极性:P=60V

封装:TO-247-3

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TMG150P06T-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG150P06T

极性:P=60V

封装:TO-263-3L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TMG120P06T-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120P06T

极性:P=60V

封装:T0-263-3L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TMG120P06HP-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120P06HP

极性:P=60V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM85P06P-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM85P06P

极性:P=60V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM60P06P-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM60P06P

极性:P=60V

封装:TO-220AB

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM100P06D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM100P06D

极性:P=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TMG80P06D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG80P06D

极性:P=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM80P06D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET-
TM80P06D

极性:P=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TMG60P06D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG60P06D

极性:P=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM50P06D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50P06D

极性:P=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM30P06D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30P06D

极性:P=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TMG25P06D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG25P06D

极性:P=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM20P06D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20P06D

极性:P=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM15P06D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM15P06D

极性:P=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM10P06D-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM10P06D

极性:P=60V

封装:TO-252-3L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TMG120P06NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG120P06NF

极性:P=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TMG60P06NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TMG60P06NF

极性:P=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM50P06NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM50P06NF

极性:P=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM30P06NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30P06NF

极性:P=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM20P06NF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20P06NF

极性:P=60V

封装:PDFN5*6-8L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM30P06DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM30P06DF

极性:P=60V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

TMC-MOS
TM20P06DF-中低压P沟道MOS管_台懋半导体MOSFET
TM20P06DF

极性:P=60V

封装:PDFN3*3-8L

工艺:

VDS:-60

ESD:N

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